双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210171180.0

申请日：

2012-05-29

公开(公告)号：

CN102684066A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

张普王警卫梁雪杰宗恒军刘兴胜

申请人：

申请人地址：

710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号10号楼三层

IPC主分类号：

H01S5024

IPC分类号：

H01S5042

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人：

陈广民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346526804 IPC(主分类):H01S 5/024 专利申请号:2012101711800 申请日:20120529
2015-04-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713241149 IPC(主分类):H01S 5/024 专利申请号:2012101711800 申请公布日:20120919
2012-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

双通道液体制冷多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

王警卫 ;

梁雪杰 ;

宗恒军 ;

刘兴胜 .

中国专利 :CN202772419U ,2013-03-06

[2]

多量子阱半导体激光器及其制备方法 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN102801108B ,2012-11-28

[3]

多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30

[4]

深紫外多量子阱半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P].

乔忠良 ;

赵志斌 ;

李再金 ;

任永学 ;

李林 ;

曲轶 .

中国专利 :CN111082318B ,2020-04-28

[5]

半导体激光器液体制冷装置 [P].

刘兴胜 ;

宗恒军 .

中国专利 :CN202678715U ,2013-01-16

[6]

半导体激光器液体制冷装置 [P].

刘兴胜 ;

宗恒军 .

中国专利 :CN202602082U ,2012-12-12

[7]

InGaAs/AlGaAs单量子阱及多量子阱半导体激光器有源区外延结构 [P].

王海珠 ;

张彬 ;

王曲惠 ;

邹永刚 ;

范杰 ;

徐莉 ;

马晓辉 .

中国专利 :CN111490456A ,2020-08-04

[8]

半导体激光器（液体制冷） [P].

王德超 ;

孙素娟 ;

张真真 ;

王行腾 ;

刘琦 .

中国专利 :CN307103201S ,2022-02-08

[9]

宏通道液体制冷型半导体激光器 [P].

梁雪杰 ;

宗恒军 ;

刘兴胜 .

中国专利 :CN303349733S ,2015-08-26

[10]

宏通道液体制冷型高功率半导体激光器 [P].

刘兴胜 ;

李小宁 ;

梁雪杰 ;

穆建飞 ;

李龙 ;

王警卫 ;

刘亚龙 .

中国专利 :CN303310716S ,2015-07-29

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