多量子阱半导体元件的纵向空间分析方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410463957.3

申请日：

2024-04-17

公开(公告)号：

CN120834025A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

葛啸天黄荣许蕾蕾黄增立翁雪霏王荣新凌小伦

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

H01J49/40 G01N21/65 G01N21/64

代理机构：

苏州三英知识产权代理有限公司 32412

代理人：

黄晨

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/66申请日:20240417

共 50 条

[1]

多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30

[2]

单片多色、多量子阱半导体LED [P].

廖世蓉 ;

叶瑾琳 ;

提叻德切·德切普罗姆 ;

陈志佳 ;

叶亚川 .

中国专利 :CN1790756A ,2006-06-21

[3]

多量子阱半导体激光器及其制备方法 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN102801108B ,2012-11-28

[4]

带有多量子阱结构的光电子半导体芯片 [P].

彼得·施陶斯 ;

马蒂亚斯·彼得 ;

亚历山大·沃尔特 .

中国专利 :CN101809767B ,2010-08-18

[5]

半导体元件的分析方法 [P].

张志忠 ;

林建璋 ;

吴文生 ;

张清林 ;

蔡智仰 .

中国专利 :CN102122625A ,2011-07-13

[6]

一种具有三维极性畴多量子阱的半导体发光元件 [P].

吴烈飞 .

中国专利 :CN114420805A ,2022-04-29

[7]

一种具有三维极性畴多量子阱的半导体发光元件 [P].

吴烈飞 .

中国专利 :CN114420805B ,2025-02-11

[8]

一种生长多量子阱的方法、多量子阱 [P].

朱建军 ;

陆书龙 ;

李雪飞 ;

杨文献 .

中国专利 :CN114975698B ,2025-12-02

[9]

一种量子阱、多量子阱外延结构及其制备方法 [P].

杨玲芳 ;

单智发 ;

张永 ;

李洪雨 ;

郑韬 .

中国专利 :CN120389289A ,2025-07-29

[10]

深紫外多量子阱半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P].

乔忠良 ;

赵志斌 ;

李再金 ;

任永学 ;

李林 ;

曲轶 .

中国专利 :CN111082318B ,2020-04-28

← 1 2 3 4 5 →