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多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202511188821.7
申请日
:
2025-08-25
公开(公告)号
:
CN120751790B
公开(公告)日
:
2025-11-11
发明(设计)人
:
杨海明
王腾
申请人
:
苏州多感科技有限公司
申请人地址
:
215400 江苏省苏州市太仓市经济开发区宁波东路66号1幢1室
IPC主分类号
:
H10F39/00
IPC分类号
:
H10F39/18
代理机构
:
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
:
王宏婧
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-24
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/00申请日:20250825
2025-10-03
公开
公开
2025-11-11
授权
授权
共 50 条
[1]
多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法
[P].
杨海明
论文数:
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机构:
苏州多感科技有限公司
苏州多感科技有限公司
杨海明
;
王腾
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机构:
苏州多感科技有限公司
苏州多感科技有限公司
王腾
.
中国专利
:CN120751790A
,2025-10-03
[2]
多芯片集成的扇出型封装的光电传感器及其制造方法
[P].
杨海明
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机构:
苏州多感科技有限公司
苏州多感科技有限公司
杨海明
;
王腾
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机构:
苏州多感科技有限公司
苏州多感科技有限公司
王腾
.
中国专利
:CN121038385A
,2025-11-28
[3]
光电传感器阵列集成电路及其制造方法
[P].
王欣
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王欣
;
杨大江
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杨大江
;
马四光
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马四光
;
毛杜立
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毛杜立
;
戴幸志
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戴幸志
.
中国专利
:CN110047855B
,2019-07-23
[4]
光电传感器及其制造方法
[P].
林崴平
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林崴平
.
中国专利
:CN105336751B
,2016-02-17
[5]
光电传感器及其制造方法
[P].
井上直人
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井上直人
;
森崎祐造
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森崎祐造
;
后勇树
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后勇树
.
中国专利
:CN103481512B
,2014-01-01
[6]
光电传感器及其制造方法
[P].
水崎纮行
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水崎纮行
;
中村润平
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中村润平
;
辻智宏
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辻智宏
;
宫田毅
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宫田毅
;
杉本诚
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杉本诚
.
中国专利
:CN110274617A
,2019-09-24
[7]
光电传感器及其制造方法
[P].
王凯
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王凯
;
周贤达
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周贤达
;
郭海成
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郭海成
;
王文
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王文
;
张猛
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张猛
.
中国专利
:CN107634079A
,2018-01-26
[8]
光电传感器部件以及其制造方法
[P].
宫田毅
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宫田毅
;
大槻一也
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大槻一也
;
中嶋淳
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中嶋淳
;
宫下诚司
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宫下诚司
;
今井清司
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今井清司
;
糟谷诚
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糟谷诚
.
中国专利
:CN104913794A
,2015-09-16
[9]
光电传感器以及其制造方法
[P].
中村润平
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中村润平
;
中岛浩贵
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中岛浩贵
;
驹井和斉
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驹井和斉
;
及川贵弘
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及川贵弘
.
中国专利
:CN113272928A
,2021-08-17
[10]
光电传感器以及其制造方法
[P].
中村润平
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机构:
欧姆龙株式会社
欧姆龙株式会社
中村润平
;
中岛浩贵
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机构:
欧姆龙株式会社
欧姆龙株式会社
中岛浩贵
;
驹井和斉
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机构:
欧姆龙株式会社
欧姆龙株式会社
驹井和斉
;
及川贵弘
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机构:
欧姆龙株式会社
欧姆龙株式会社
及川贵弘
.
日本专利
:CN113272928B
,2025-01-10
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