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多芯片集成的扇出型封装的光电传感器及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511574310.9
申请日：
2025-10-31
公开(公告)号：
CN121038385A
公开(公告)日：
2025-11-28
发明(设计)人：
杨海明 王腾
申请人：
苏州多感科技有限公司
申请人地址：
215400 江苏省苏州市太仓市经济开发区宁波东路66号1幢1室
IPC主分类号：
H10F39/00
IPC分类号：
H10F39/95
代理机构：
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人：
罗磊
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-28 公开 公开
2025-12-16 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/00申请日:20251031
共 50 条
[1]
多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法 [P]. 
杨海明 ;
王腾 .
中国专利 :CN120751790B ,2025-11-11
[2]
多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法 [P]. 
杨海明 ;
王腾 .
中国专利 :CN120751790A ,2025-10-03
[3]
用于形成封装的光电传感器阵列的方法和光电传感器集成电路 [P]. 
钱胤 ;
缪佳君 ;
张明 ;
戴幸志 .
中国专利 :CN110310918A ,2019-10-08
[4]
薄型传感器芯片的扇出封装结构及其封装方法 [P]. 
方立志 .
中国专利 :CN114759050B ,2025-08-26
[5]
薄型传感器芯片的扇出封装结构及其封装方法 [P]. 
方立志 .
中国专利 :CN114759050A ,2022-07-15
[6]
光电传感器阵列集成电路及其制造方法 [P]. 
王欣 ;
杨大江 ;
马四光 ;
毛杜立 ;
戴幸志 .
中国专利 :CN110047855B ,2019-07-23
[7]
反射型光电传感器及其制造方法 [P]. 
宇野真武 .
中国专利 :CN102565802A ,2012-07-11
[8]
光电传感器及其制造方法 [P]. 
林崴平 .
中国专利 :CN105336751B ,2016-02-17
[9]
光电传感器及其制造方法 [P]. 
井上直人 ;
森崎祐造 ;
后勇树 .
中国专利 :CN103481512B ,2014-01-01
[10]
光电传感器及其制造方法 [P]. 
水崎纮行 ;
中村润平 ;
辻智宏 ;
宫田毅 ;
杉本诚 .
中国专利 :CN110274617A ,2019-09-24
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