一种增强型氮化镓功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202423162505.6

申请日：

2024-12-20

公开(公告)号：

CN223639610U

公开(公告)日：

2025-12-05

发明(设计)人：

刘勇罗鹏刘家才

申请人：

成都氮矽科技有限公司深圳氮芯科技有限公司

申请人地址：

610000 四川省成都市高新区天府五街168号德必天府五街WE5楼501室

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/10

代理机构：

深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651

代理人：

刘婧

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种制作增强型氮化镓功率器件的方法 [P].

梁玉玉 ;

蔡文必 ;

刘成 ;

叶念慈 ;

赵杰 .

中国专利 :CN111653478B ,2020-09-11

[2]

增强型氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN114038909A ,2022-02-11

[3]

增强型氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN114038909B ,2024-05-17

[4]

增强型氮化镓功率器件的制备方法 [P].

白俊春 ;

程斌 ;

贾永 .

中国专利 :CN120390421A ,2025-07-29

[5]

氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件 [P].

刘君梦 ;

叶念慈 ;

刘成 ;

王哲力 ;

梁玉玉 .

中国专利 :CN118280836A ,2024-07-02

[6]

增强型氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备 [P].

张鹏浩 ;

王路宇 ;

徐敏 ;

潘茂林 ;

王强 ;

黄海 ;

黄自强 ;

谢欣灵 ;

徐赛生 ;

王晨 ;

张卫 .

中国专利 :CN116314319B ,2025-05-27

[7]

一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构 [P].

刘勇 ;

罗鹏 ;

刘家才 ;

朱仁强 .

中国专利 :CN222051760U ,2024-11-22

[8]

氮化镓功率器件 [P].

刘昊 ;

叶念慈 ;

刘成 ;

付杰 ;

陈奋 ;

陈泓 ;

袁艳 .

中国专利 :CN222674846U ,2025-03-25

[9]

氮化镓功率器件 [P].

周亚琴 ;

郝荣晖 .

中国专利 :CN121240542A ,2025-12-30

[10]

氮化镓功率器件 [P].

袁海龙 ;

区泳钊 ;

莫华莲 ;

蒙求恩 ;

章金惠 ;

李丹伟 .

中国专利 :CN220474627U ,2024-02-09

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