一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420587604.X

申请日：

2024-03-25

公开(公告)号：

CN222051760U

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

刘勇罗鹏刘家才朱仁强

申请人：

成都氮矽科技有限公司深圳氮芯科技有限公司

申请人地址：

610000 四川省成都市高新区天府五街168号5楼501室

IPC主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L23/49

代理机构：

成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217

代理人：

黄垒

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装方法 [P].

王丕龙 ;

杨玉珍 ;

王新强 ;

张凯 .

中国专利 :CN120432389A ,2025-08-05

[2]

一种功率半导体器件封装结构 [P].

彭劲松 ;

万翠凤 ;

郭天宇 ;

张巍 .

中国专利 :CN116598214B ,2024-03-19

[3]

一种增强型氮化镓功率器件 [P].

刘勇 ;

罗鹏 ;

刘家才 .

中国专利 :CN223639610U ,2025-12-05

[4]

一种氮化镓半导体功率器件 [P].

张铭宏 ;

郭超凡 ;

王中党 ;

高吴昊 .

中国专利 :CN223584623U ,2025-11-21

[5]

氮化镓半导体器件封装件 [P].

姚卫刚 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN213716885U ,2021-07-16

[6]

具有垂直结构的氮化镓功率半导体器件 [P].

陈世冠 ;

林意茵 .

中国专利 :CN105474405B ,2016-04-06

[7]

一种半导体封装结构及半导体器件 [P].

沈丽娟 .

中国专利 :CN215578538U ,2022-01-18

[8]

热增强型功率半导体封装 [P].

林育圣 ;

库尔迪普·萨克塞纳 ;

德瓦拉詹·巴拉拉曼 ;

丹尼尔·吉恩·里希特 .

美国专利 :CN120530492A ,2025-08-22

[9]

功率半导体器件封装结构 [P].

田伟 ;

廖兵 .

中国专利 :CN218482234U ,2023-02-14

[10]

一种半导体器件封装结构 [P].

史凤敏 ;

王海林 ;

许谦 ;

王樱婼 .

中国专利 :CN215988723U ,2022-03-08

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