一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510511043.4

申请日：

2025-04-23

公开(公告)号：

CN120432389A

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

王丕龙杨玉珍王新强张凯

申请人：

青岛佳恩半导体有限公司

申请人地址：

266000 山东省青岛市城阳区河套街道胶州湾综保区田海路207号023室

IPC主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/56 H01L21/66 G06F30/23 G06F30/27 G06N3/042 G06N3/045 G06N3/0442 G06N3/08 G06F119/02 G06F119/08

代理机构：

北京建信创联知识产权代理事务所(普通合伙) 16357

代理人：

吴赛文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省青岛市

引用

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共 50 条

[1]

一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构 [P].

刘勇 ;

罗鹏 ;

刘家才 ;

朱仁强 .

中国专利 :CN222051760U ,2024-11-22

[2]

一种增强型氮化镓功率器件 [P].

刘勇 ;

罗鹏 ;

刘家才 .

中国专利 :CN223639610U ,2025-12-05

[3]

增强型氮化镓功率器件的制备方法 [P].

白俊春 ;

程斌 ;

贾永 .

中国专利 :CN120390421A ,2025-07-29

[4]

基于氮化镓的半导体功率器件及其制造方法 [P].

王琮 .

中国专利 :CN112750898A ,2021-05-04

[5]

氮化镓半导体器件及其封装方法 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN111244074B ,2025-07-11

[6]

氮化镓半导体器件及其封装方法 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN111244074A ,2020-06-05

[7]

氮化镓半导体器件封装件 [P].

姚卫刚 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN213716885U ,2021-07-16

[8]

增强型氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN114038909A ,2022-02-11

[9]

增强型氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN114038909B ,2024-05-17

[10]

一种制作增强型氮化镓功率器件的方法 [P].

梁玉玉 ;

蔡文必 ;

刘成 ;

叶念慈 ;

赵杰 .

中国专利 :CN111653478B ,2020-09-11

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/50申请日:20250423
2025-08-05	公开	公开