共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311708789.1
申请日：
2023-12-12
公开(公告)号：
CN120152273B
公开(公告)日：
2025-12-05
发明(设计)人：
刘志拯
申请人：
长鑫科技集团股份有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-05 | 授权 | 授权 |
| 2025-07-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20231212 |
| 2025-06-13 | 公开 | 公开 |