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MIM电容器及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202511159013.8
申请日
:
2025-08-18
公开(公告)号
:
CN121099619A
公开(公告)日
:
2025-12-09
发明(设计)人
:
程久庚
曹启鹏
程刘锁
申请人
:
华虹半导体(无锡)有限公司
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号
:
H10D1/68
IPC分类号
:
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
戴广志
法律状态
:
公开
国省代码
:
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-12-09
公开
公开
2025-12-26
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/68申请日:20250818
共 50 条
[1]
MIM电容器及其制造方法
[P].
邵迎亚
论文数:
0
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0
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邵迎亚
;
周启航
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周启航
;
丁笙玹
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丁笙玹
;
孔德旺
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孔德旺
.
中国专利
:CN112103270A
,2020-12-18
[2]
沟槽型MIM电容器及其制造方法
[P].
覃庆媛
论文数:
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机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
覃庆媛
;
吴卓杰
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机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
吴卓杰
;
王岩
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机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
王岩
;
丁文凤
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机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
丁文凤
.
中国专利
:CN120547884B
,2025-11-11
[3]
沟槽型MIM电容器及其制造方法
[P].
覃庆媛
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机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
覃庆媛
;
吴卓杰
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机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
吴卓杰
;
王岩
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机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
王岩
;
丁文凤
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机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
丁文凤
.
中国专利
:CN120547884A
,2025-08-26
[4]
薄膜MIM电容器及其制造方法
[P].
高桥智之
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高桥智之
;
森户健太郎
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森户健太郎
;
笹岛裕一
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笹岛裕一
;
武宜成
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武宜成
.
中国专利
:CN102165542A
,2011-08-24
[5]
MIM电容器及其制造方法
[P].
徐瑞璋
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
徐瑞璋
;
薛广杰
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
薛广杰
;
李乐
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
李乐
.
中国专利
:CN118510382A
,2024-08-16
[6]
MIM电容器及其制造方法
[P].
肖德元
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肖德元
;
季明华
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季明华
;
吴汉明
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吴汉明
.
中国专利
:CN101989621B
,2011-03-23
[7]
MIM电容器及其制造方法
[P].
罗埃尔·达门
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罗埃尔·达门
;
格哈德·库普斯
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格哈德·库普斯
;
皮特·杰勒德·斯蒂内肯
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皮特·杰勒德·斯蒂内肯
.
中国专利
:CN103855157B
,2014-06-11
[8]
MIM电容器及其制造方法
[P].
叶菁
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叶菁
;
王奇峰
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王奇峰
.
中国专利
:CN101989620A
,2011-03-23
[9]
MIM电容器及其制造方法
[P].
C·杨
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C·杨
;
L·A·克莱文格
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L·A·克莱文格
;
T·J·达尔顿
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T·J·达尔顿
;
L·C·苏
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L·C·苏
.
中国专利
:CN101160655A
,2008-04-09
[10]
MIM电容器及其制造方法
[P].
杨宏旭
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杨宏旭
;
刘俊文
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刘俊文
;
牛忠彩
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牛忠彩
.
中国专利
:CN111653544A
,2020-09-11
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