半导体器件及电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480025454.6

申请日：

2024-04-18

公开(公告)号：

CN121058361A

公开(公告)日：

2025-12-02

发明(设计)人：

霍间勇辉三和宽之永富久乘川岛绘美岩濑信博

申请人：

出光兴产株式会社

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D30/01 H01L21/363

代理机构：

上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291

代理人：

毛立群

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件，显示单元和电子设备 [P].

寺井康浩 ;

石井孝英 ;

佐藤步 .

中国专利 :CN104078510A ,2014-10-01

[2]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

李帅 ;

张京 ;

王桂磊 .

中国专利 :CN121078730A ,2025-12-05

[3]

半导体器件及其制造方法、以及具有该半导体器件的电子设备 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN101783368B ,2010-07-21

[4]

半导体器件及电子设备 [P].

宍户英明 .

中国专利 :CN101276824A ,2008-10-01

[5]

半导体器件及电子设备 [P].

斋藤卓 ;

藤井宣年 ;

松本良辅 ;

财前义史 ;

万田周治 ;

丸山俊介 ;

清水秀夫 .

日本专利 :CN118588722A ,2024-09-03

[6]

半导体器件的制备方法、半导体器件及电子设备 [P].

吴恒 ;

葛延栋 ;

彭莞越 ;

卢浩然 ;

黎明 ;

王润声 ;

黄如 ;

卜伟海 ;

康劲 .

中国专利 :CN118280925B ,2025-03-18

[7]

半导体器件的制备方法、半导体器件及电子设备 [P].

吴恒 ;

葛延栋 ;

彭莞越 ;

卢浩然 ;

黎明 ;

王润声 ;

黄如 ;

卜伟海 ;

康劲 .

中国专利 :CN118280925A ,2024-07-02

[8]

半导体器件及电子设备 [P].

冯希昆 ;

夹丹丹 .

中国专利 :CN118522727A ,2024-08-20

[9]

半导体器件及电子设备 [P].

斋藤卓 ;

藤井宣年 ;

松本良辅 ;

财前义史 ;

万田周治 ;

丸山俊介 ;

清水秀夫 .

日本专利 :CN118588721A ,2024-09-03

[10]

半导体器件及电子设备 [P].

王康 ;

杨文韬 ;

宁润涛 ;

张汇源 ;

马臻 ;

刘志华 .

中国专利 :CN118899329A ,2024-11-05

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