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一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510017438.9
申请日：
2025-01-06
公开(公告)号：
CN119836223B
公开(公告)日：
2025-12-05
发明(设计)人：
耿魁伟 林勇徽 刘玉荣
申请人：
华南理工大学
申请人地址：
510000 广东省广州市天河区五山路
IPC主分类号：
H10N70/20
IPC分类号：
H10N70/00 G06V30/226 G06V30/19 G06V10/82 G06N3/0464 G06N3/067
代理机构：
北京众泽信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11701
代理人：
周振
法律状态：
授权
国省代码：
广东省 广州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-05 授权 授权
2025-04-15 公开 公开
2025-06-06 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20250106
共 50 条
[1]
一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用 [P]. 
耿魁伟 ;
林勇徽 ;
刘玉荣 .
中国专利 :CN119836223A ,2025-04-15
[2]
一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/TiO<sub>2</sub>异质结结构的模拟型忆阻器及其制备方法 [P]. 
朱媛媛 ;
张舟亨 ;
王永庆 ;
王红军 ;
罗道斌 ;
王有庆 ;
周静 .
中国专利 :CN120813233A ,2025-10-17
[3]
一种基于TiO<sub>2</sub>/ReS<sub>2</sub>异质结自整流忆阻器阵列及其制备方法和应用 [P]. 
龙丽媛 ;
陈佳辉 ;
吕罡阳 ;
王敦辉 .
中国专利 :CN119095472A ,2024-12-06
[4]
一种Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GaN异质结及其制备方法和应用 [P]. 
马淑芳 ;
王嘉惠 ;
程睿思 ;
刘孜妍 ;
周宇豪 ;
蔡永浩 ;
官相奕 ;
许并社 .
中国专利 :CN121109958A ,2025-12-12
[5]
一种ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结催化剂及其制备方法和应用 [P]. 
苏暐光 ;
魏新煜 ;
白永辉 ;
宋旭东 ;
王焦飞 ;
吕鹏 ;
于广锁 .
中国专利 :CN121155563A ,2025-12-19
[6]
一种基于In<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/ZnIn<sub>2</sub>S<sub>4</sub>异质结光电突触纵向器件阵列及其制备方法和应用 [P]. 
龙丽媛 ;
冯霈然 ;
张珺珺 ;
王敦辉 .
中国专利 :CN120813235A ,2025-10-17
[7]
一种基于TiO<sub>2</sub>/Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结结构的高调控范围三值阻变忆阻器及其制备方法和应用 [P]. 
朱媛媛 ;
张云飞 ;
王红军 ;
周静 .
中国专利 :CN118434268A ,2024-08-02
[8]
一种基于CsBi<sub>4</sub>Te<sub>6</sub>的平面忆阻器的制备方法 [P]. 
罗威 ;
吴立明 ;
范沥文 ;
王万骞 ;
彭刚 ;
欧阳建明 ;
何理鸣 .
中国专利 :CN117377379A ,2024-01-09
[9]
In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/BiVO<sub>4</sub>异质结压电材料及其制备方法和应用 [P]. 
钟山 ;
杨涵 ;
张漓杉 .
中国专利 :CN119926386A ,2025-05-06
[10]
一种Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>/In(OH)<sub>3</sub>异质结复合膜及其制备方法和应用 [P]. 
王斌 ;
宋雷 ;
侯立安 ;
许晓毅 ;
封涛涛 ;
李文嘉 ;
秦波 ;
李江 ;
王涛 .
中国专利 :CN117443206B ,2024-05-10
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