一种基于CsBi<sub>4</sub>Te<sub>6</sub>的平面忆阻器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311307026.6

申请日：

2023-10-10

公开(公告)号：

CN117377379A

公开(公告)日：

2024-01-09

发明(设计)人：

罗威吴立明范沥文王万骞彭刚欧阳建明何理鸣

申请人：

中国人民解放军国防科技大学

申请人地址：

410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20 H10B63/00

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246

代理人：

刘妮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-09	公开	公开
2024-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20231010

共 50 条

[1]

一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用 [P].

耿魁伟 ;

林勇徽 ;

刘玉荣 .

中国专利 :CN119836223A ,2025-04-15

[2]

一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用 [P].

耿魁伟 ;

林勇徽 ;

刘玉荣 .

中国专利 :CN119836223B ,2025-12-05

[3]

SrBi<sub>2</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>9</sub>单晶超薄膜的制备方法及基于其的忆阻器 [P].

胡雪峰 ;

谭莉萍 ;

章伟 .

中国专利 :CN117779197A ,2024-03-29

[4]

MoS<sub>2</sub>材料的制备方法及忆阻器 [P].

张跃 ;

于沛霖 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

荀晓晨 ;

宣景悦 ;

张珂语 ;

李天昕 .

中国专利 :CN118302035A ,2024-07-05

[5]

一种HfZrO<sub>4</sub>忆阻器及制造方法 [P].

程少博 ;

陈得禄 ;

李星 ;

单崇新 ;

韩曰通 .

中国专利 :CN119730713A ,2025-03-28

[6]

仲钨酸氢铵(NH<sub>4</sub>)<sub>6</sub>H<sub>6</sub>W<sub>12</sub>O<sub>42</sub>的制备方法 [P].

申雷霆 ;

张莉茗 ;

李小斌 ;

周秋生 ;

齐天贵 ;

王一霖 ;

刘桂华 ;

彭志宏 .

中国专利 :CN118851265A ,2024-10-29

[7]

一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/TiO<sub>2</sub>异质结结构的模拟型忆阻器及其制备方法 [P].

朱媛媛 ;

张舟亨 ;

王永庆 ;

王红军 ;

罗道斌 ;

王有庆 ;

周静 .

中国专利 :CN120813233A ,2025-10-17

[8]

一种Cu掺杂的Ti<sub>x</sub>O<sub>y</sub>薄膜忆阻器及制备方法 [P].

袁方 ;

李玉霞 ;

李少岩 ;

邓玥 ;

张鹏 .

中国专利 :CN114242888B ,2025-07-25

[9]

一种Bi<sub>4</sub>O<sub>4</sub>SeCl<sub>2</sub>纳米片的制备方法 [P].

周剑 ;

马知遥 ;

谢凡 .

中国专利 :CN119082856A ,2024-12-06

[10]

二维(4,4-DFHHA)<sub>2</sub>PbI<sub>4</sub>忆阻器及其制备方法和应用 [P].

楚亮 .

中国专利 :CN120916637A ,2025-11-07

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