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SrBi<sub>2</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>9</sub>单晶超薄膜的制备方法及基于其的忆阻器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311810863.0
申请日：
2023-12-27
公开(公告)号：
CN117779197A
公开(公告)日：
2024-03-29
发明(设计)人：
胡雪峰 谭莉萍 章伟
申请人：
合肥工业大学
申请人地址：
230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
IPC主分类号：
C30B29/30
IPC分类号：
H10B53/30 G11C11/54 G11C11/56 C30B25/06
代理机构：
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101
代理人：
卢敏
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省 合肥市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-03-29 公开 公开
2024-04-16 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/30申请日:20231227
共 50 条
[1]
一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se复合材料及基于其的气体传感器 [P]. 
胡雪峰 ;
李阿龙 ;
王子龙 .
中国专利 :CN121023466A ,2025-11-28
[2]
MoS<sub>2</sub>材料的制备方法及忆阻器 [P]. 
张跃 ;
于沛霖 ;
廖庆亮 ;
赵璇 ;
荀晓晨 ;
宣景悦 ;
张珂语 ;
李天昕 .
中国专利 :CN118302035A ,2024-07-05
[3]
一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/TiO<sub>2</sub>异质结结构的模拟型忆阻器及其制备方法 [P]. 
朱媛媛 ;
张舟亨 ;
王永庆 ;
王红军 ;
罗道斌 ;
王有庆 ;
周静 .
中国专利 :CN120813233A ,2025-10-17
[4]
一种Cu掺杂的Ti<sub>x</sub>O<sub>y</sub>薄膜忆阻器及制备方法 [P]. 
袁方 ;
李玉霞 ;
李少岩 ;
邓玥 ;
张鹏 .
中国专利 :CN114242888B ,2025-07-25
[5]
一种基于CsBi<sub>4</sub>Te<sub>6</sub>的平面忆阻器的制备方法 [P]. 
罗威 ;
吴立明 ;
范沥文 ;
王万骞 ;
彭刚 ;
欧阳建明 ;
何理鸣 .
中国专利 :CN117377379A ,2024-01-09
[6]
一种基于TiO<sub>2</sub>/Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结结构的高调控范围三值阻变忆阻器及其制备方法和应用 [P]. 
朱媛媛 ;
张云飞 ;
王红军 ;
周静 .
中国专利 :CN118434268A ,2024-08-02
[7]
一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用 [P]. 
耿魁伟 ;
林勇徽 ;
刘玉荣 .
中国专利 :CN119836223A ,2025-04-15
[8]
一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用 [P]. 
耿魁伟 ;
林勇徽 ;
刘玉荣 .
中国专利 :CN119836223B ,2025-12-05
[9]
基于非晶MoS<sub>2</sub>/TiO<sub>2</sub>薄膜叠层结构的模拟阻变存储器及制备方法 [P]. 
朱媛媛 ;
杨梓怡 ;
张云飞 ;
王红军 ;
王永庆 ;
吴春扬 .
中国专利 :CN121057500A ,2025-12-02
[10]
一种基于TiO<sub>2</sub>/ReS<sub>2</sub>异质结自整流忆阻器阵列及其制备方法和应用 [P]. 
龙丽媛 ;
陈佳辉 ;
吕罡阳 ;
王敦辉 .
中国专利 :CN119095472A ,2024-12-06
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