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レジスト下層膜用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20250081996
申请日：
2025-05-15
公开(公告)号：
JP2025178163A
公开(公告)日：
2025-12-05
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
G03F7/11
IPC分类号：
C08F220/22 H01L21/027
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
レジスト下層膜組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2016524171A ,2016-08-12
[2]
レジスト上層膜用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
HA KYOUNGJIN ;
PARK HYEON ;
NAMGUNG RAN ;
SONG DAESEOK .
日本专利 :JP2025106188A ,2025-07-15
[3]
レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025170762A ,2025-11-19
[4]
レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
CHOI YOOJEONG ;
KIM SEONGJIN ;
BAEK JAEYEOL ;
JIN HWAYOUNG ;
KWON SOONHYUNG .
日本专利 :JP2024024583A ,2024-02-22
[5]
レジスト下層膜用組成物、およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025169227A ,2025-11-12
[6]
レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023549846A ,2023-11-29
[7]
レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
JIN HWAYOUNG ;
CHOI YOOJEONG ;
BAEK JAEYEOL ;
KWON SOONHYUNG ;
KIM SEONG JIN ;
CHO A-RA .
日本专利 :JP2025026346A ,2025-02-21
[8]
レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022519360A ,2022-03-23
[9]
フォトレジスト上層膜用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
PARK HYEON ;
NAMGUNG RAN ;
HA KYOUNG JIN ;
SONG DAESEOK ;
KIM MIN SU .
日本专利 :JP2024167886A ,2024-12-04
[10]
レジスト上層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025138566A ,2025-09-25
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