一种快速CVD沉积碳化硅涂层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511238648.7

申请日：

2025-09-01

公开(公告)号：

CN121137554A

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

李文杰张伟孙海滨任意刘子昂张旭张继传

申请人：

山东旌丞新材料科技有限公司

申请人地址：

271100 山东省济南市莱芜高新区鹏泉街道汇源大街67号高创中心717室

IPC主分类号：

C23C16/32

IPC分类号：

C23C16/455 C23C16/56 C23C16/02

代理机构：

济南格源知识产权代理有限公司 37306

代理人：

张蕾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种CVD法碳化硅涂层的制备方法 [P].

吴伟荣 ;

郭凤祥 .

中国专利 :CN116969777B ,2025-02-11

[2]

一种CVD碳化硅涂层的制备方法 [P].

王志江 ;

刘景祥 .

中国专利 :CN120192165A ,2025-06-24

[3]

碳化硅涂层的制备方法与带有碳化硅涂层的基体 [P].

请求不公布姓名 ;

门玉娟 ;

请求不公布姓名 ;

傅霖兵 ;

春伟博 .

中国专利 :CN118685758B ,2024-12-17

[4]

一种CVD碳化硅沉积处理设备 [P].

白秋云 .

中国专利 :CN217895744U ,2022-11-25

[5]

碳化硅涂层的制备方法与带有碳化硅涂层的基体 [P].

请求不公布姓名 ;

门玉娟 ;

请求不公布姓名 ;

傅霖兵 ;

春伟博 .

中国专利 :CN118685758A ,2024-09-24

[6]

一种CVD法碳化硅涂层的制备方法 [P].

林培英 ;

李啸 ;

黄洪福 ;

朱佰喜 .

中国专利 :CN108359958B ,2018-08-03

[7]

一种提升CVD碳化硅涂层和石墨基体结合力的沉积方法 [P].

王力 ;

张慧 ;

包根平 ;

李靖晗 .

中国专利 :CN117403205A ,2024-01-16

[8]

一种CVD碳化硅涂层和超长碳化硅纳米线共同制备的方法 [P].

陈照峰 ;

刘佳宝 .

中国专利 :CN110065944A ,2019-07-30

[9]

一种沉积碳化硅涂层及其制备方法和应用 [P].

贾瑞涛 ;

王航 ;

刘宁宁 .

中国专利 :CN119913477A ,2025-05-02

[10]

一种沉积碳化硅涂层的CVD设备尾气处理系统及方法 [P].

段巨祥 ;

林源 ;

戴斌 ;

戴劲 ;

张池澜 ;

刘志坚 ;

谭兴龙 ;

王艳艳 ;

许鹏 ;

戴煜 .

中国专利 :CN121103112A ,2025-12-12

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