一种分子印迹比率荧光传感器及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211486227.2

申请日：

2022-11-24

公开(公告)号：

CN115791725B

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

邵彦明王鹏郑蕊赵芝镇康萌仪安军郝彩凤

申请人：

陕西科技大学

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园

IPC主分类号：

G01N21/64

IPC分类号：

C09K11/06

代理机构：

北京中巡通大知识产权代理有限公司 11703

代理人：

张晓凯

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种表面分子印迹比率荧光传感器及其制备方法和应用 [P].

邵彦明 ;

王鹏 ;

郑蕊 ;

赵芝镇 ;

安军 ;

郝彩凤 .

中国专利 :CN115326769A ,2022-11-11

[2]

一种分子印迹比率荧光传感器及制备和应用 [P].

陈令新 ;

杨倩 ;

李金花 .

中国专利 :CN109239045A ,2019-01-18

[3]

分子印迹比率荧光传感器及其制备方法和邻苯二酚的检测应用 [P].

邵彦明 ;

赵芝镇 ;

康萌仪 ;

戎轩 ;

郝彩凤 ;

赵欢欢 ;

安军 .

中国专利 :CN118667548A ,2024-09-20

[4]

一种比率荧光分子印迹聚合物及其制备方法和应用 [P].

何宏亮 ;

陈立娜 ;

曹敏 ;

杨俭 ;

唐玉林 .

中国专利 :CN111024673A ,2020-04-17

[5]

分子印迹比率荧光传感器及其制备方法与应用 [P].

白宝清 ;

丁旭海 ;

张瑛 ;

薄涛 ;

张锦华 ;

杨钰昆 .

中国专利 :CN121185985A ,2025-12-23

[6]

双发射分子印迹比率荧光传感器及其制备方法和在检测金霉素中的应用 [P].

王晓艳 ;

于佳洛 ;

陈令新 ;

韩立梅 .

中国专利 :CN121182496A ,2025-12-23

[7]

一种磁性介孔二氧化硅表面分子印迹荧光传感器及其制备方法和应用 [P].

邵彦明 ;

赵芝镇 ;

安军 ;

康萌仪 ;

郝彩凤 ;

戎轩 ;

赵欢欢 .

中国专利 :CN118085849A ,2024-05-28

[8]

基于MXene量子点的分子印迹比率荧光传感器及其制备方法与应用 [P].

徐小艳 ;

王天遥 ;

田兴国 ;

李倩倩 .

中国专利 :CN119286499A ,2025-01-10

[9]

比率荧光分子印迹聚合物、纸基传感器及其制备与应用 [P].

邹品田 ;

覃孙良 ;

陈艳萍 ;

刘峥 ;

吕弈菊 ;

罗小玲 .

中国专利 :CN119505052A ,2025-02-25

[10]

一种比率型分子印迹荧光传感器及其制备方法和应用 [P].

杨钰昆 ;

王一丹 ;

张瑛 ;

白宝清 ;

张锦华 ;

薄涛 .

中国专利 :CN118566193A ,2024-08-30

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