一种分子印迹比率荧光传感器及制备和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811507075.3

申请日：

2018-12-11

公开(公告)号：

CN109239045A

公开(公告)日：

2019-01-18

发明(设计)人：

陈令新杨倩李金花

申请人：

申请人地址：

264003 山东省烟台市莱山区春晖路17号

IPC主分类号：

G01N2164

IPC分类号：

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002

代理人：

李颖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-26	授权	授权
2019-01-18	公开	公开
2019-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/64 申请日:20181211

共 50 条

[1]

一种分子印迹比率荧光传感器及其制备方法和应用 [P].

邵彦明 ;

王鹏 ;

郑蕊 ;

赵芝镇 ;

康萌仪 ;

安军 ;

郝彩凤 .

中国专利 :CN115791725B ,2025-12-16

[2]

一种表面分子印迹比率荧光传感器及其制备方法和应用 [P].

邵彦明 ;

王鹏 ;

郑蕊 ;

赵芝镇 ;

安军 ;

郝彩凤 .

中国专利 :CN115326769A ,2022-11-11

[3]

一种可视化分子印迹纳米传感器及其制备和应用 [P].

熊华 ;

李楚瑶 ;

杨倩 ;

彭海龙 ;

朱雯婷 .

中国专利 :CN110186884A ,2019-08-30

[4]

分子印迹比率荧光传感器及其制备方法与应用 [P].

白宝清 ;

丁旭海 ;

张瑛 ;

薄涛 ;

张锦华 ;

杨钰昆 .

中国专利 :CN121185985A ,2025-12-23

[5]

分子印迹比率荧光传感器及其制备方法和邻苯二酚的检测应用 [P].

邵彦明 ;

赵芝镇 ;

康萌仪 ;

戎轩 ;

郝彩凤 ;

赵欢欢 ;

安军 .

中国专利 :CN118667548A ,2024-09-20

[6]

一种比率型分子印迹荧光传感器及其制备方法和应用 [P].

杨钰昆 ;

王一丹 ;

张瑛 ;

白宝清 ;

张锦华 ;

薄涛 .

中国专利 :CN118566193A ,2024-08-30

[7]

一种基于F-PDA分子印迹比率荧光传感器的制备方法及其应用 [P].

徐叶青 ;

马明树 ;

彭龙 ;

黄婷 ;

闫永胜 .

中国专利 :CN113185979A ,2021-07-30

[8]

三发射比率分子印迹荧光传感器及其制备方法和应用 [P].

王晓艳 ;

于佳洛 ;

陈令新 ;

缪佳琪 .

中国专利 :CN117568017A ,2024-02-20

[9]

三发射比率分子印迹荧光传感器及其制备方法和应用 [P].

王晓艳 ;

于佳洛 ;

陈令新 ;

缪佳琪 .

中国专利 :CN117568017B ,2025-10-17

[10]

双发射分子印迹比率荧光传感器及其制备方法和在检测金霉素中的应用 [P].

王晓艳 ;

于佳洛 ;

陈令新 ;

韩立梅 .

中国专利 :CN121182496A ,2025-12-23

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