一种基于F-PDA分子印迹比率荧光传感器的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110434395.6

申请日：

2021-04-22

公开(公告)号：

CN113185979A

公开(公告)日：

2021-07-30

发明(设计)人：

徐叶青马明树彭龙黄婷闫永胜

申请人：

申请人地址：

212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

IPC主分类号：

C09K1188

IPC分类号：

C09K1106 C09K1102 C08F28300 C08F29200 C08F22214

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/88 申请日:20210422
2021-07-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于F-PDA分子印迹传感器的制备方法及其应用 [P].

徐叶青 ;

黄婷 ;

彭龙 ;

刘锡清 ;

闫永胜 .

中国专利 :CN112300335A ,2021-02-02

[2]

一种表面分子印迹比率荧光传感器及其制备方法和应用 [P].

邵彦明 ;

王鹏 ;

郑蕊 ;

赵芝镇 ;

安军 ;

郝彩凤 .

中国专利 :CN115326769A ,2022-11-11

[3]

分子印迹比率荧光传感器及其制备方法与应用 [P].

白宝清 ;

丁旭海 ;

张瑛 ;

薄涛 ;

张锦华 ;

杨钰昆 .

中国专利 :CN121185985A ,2025-12-23

[4]

基于N-CQDs分子印迹荧光传感器的制备方法及其应用 [P].

彭龙 ;

徐叶青 ;

王文娟 ;

黄婷 ;

闫永胜 .

中国专利 :CN111077126A ,2020-04-28

[5]

一种分子印迹比率荧光传感器及制备和应用 [P].

陈令新 ;

杨倩 ;

李金花 .

中国专利 :CN109239045A ,2019-01-18

[6]

一种分子印迹比率荧光传感器及其制备方法和应用 [P].

邵彦明 ;

王鹏 ;

郑蕊 ;

赵芝镇 ;

康萌仪 ;

安军 ;

郝彩凤 .

中国专利 :CN115791725B ,2025-12-16

[7]

基于MXene量子点的分子印迹比率荧光传感器及其制备方法与应用 [P].

徐小艳 ;

王天遥 ;

田兴国 ;

李倩倩 .

中国专利 :CN119286499A ,2025-01-10

[8]

分子印迹比率荧光传感器及其制备方法和邻苯二酚的检测应用 [P].

邵彦明 ;

赵芝镇 ;

康萌仪 ;

戎轩 ;

郝彩凤 ;

赵欢欢 ;

安军 .

中国专利 :CN118667548A ,2024-09-20

[9]

一种ZnO纳米棒分子印迹荧光传感器的制备方法 [P].

卫潇 ;

李洪吉 ;

郝桐帆 ;

徐叶青 ;

于志新 ;

周志平 ;

闫永胜 .

中国专利 :CN104237184B ,2014-12-24

[10]

一种比率型分子印迹荧光传感器及其制备方法和应用 [P].

杨钰昆 ;

王一丹 ;

张瑛 ;

白宝清 ;

张锦华 ;

薄涛 .

中国专利 :CN118566193A ,2024-08-30

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