TBC电池的N区刻蚀结构、刻蚀添加剂及刻蚀抛光液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511226664.4

申请日：

2025-08-29

公开(公告)号：

CN121126955A

公开(公告)日：

2025-12-12

发明(设计)人：

许锦钢徐海舰陈培良章圆圆符黎明

申请人：

常州时创能源股份有限公司

申请人地址：

213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号

IPC主分类号：

H10F77/14

IPC分类号：

H10F77/70 H10F10/10 C09K13/02 C09G1/16 C09G1/18 C09G1/04

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 77/14申请日:20250829
2025-12-12	公开	公开

共 50 条

[1]

铜催化刻蚀硅片刻蚀液用添加剂、刻蚀体系及刻蚀方法 [P].

李绍元 ;

洪世豪 ;

马文会 ;

吕国强 ;

于洁 ;

万小涵 .

中国专利 :CN113292999A ,2021-08-24

[2]

低碱晶硅刻蚀液添加剂、刻蚀液及方法 [P].

张红利 ;

王池 ;

罗江 ;

张帅 ;

李杨 ;

李强 ;

喻超 .

中国专利 :CN119736090B ,2025-11-21

[3]

低碱晶硅刻蚀液添加剂、刻蚀液及方法 [P].

张红利 ;

王池 ;

罗江 ;

张帅 ;

李杨 ;

李强 ;

喻超 .

中国专利 :CN119736090A ,2025-04-01

[4]

一种IBC电池单晶硅及其碱抛光刻蚀添加剂、刻蚀液与刻蚀方法 [P].

赵建龙 ;

王杰 ;

张兵 ;

向文胜 .

中国专利 :CN117777863A ,2024-03-29

[5]

一种用于硅片碱刻蚀抛光的添加剂、反应液及方法与应用 [P].

张鹏伟 ;

章浩然 ;

唐丹江 ;

曹丽慧 ;

赵雅倩 .

中国专利 :CN119039991B ,2025-06-03

[6]

一种用于硅片碱刻蚀抛光的添加剂、反应液及方法与应用 [P].

张鹏伟 ;

章浩然 ;

唐丹江 ;

曹丽慧 ;

赵雅倩 .

中国专利 :CN119039991A ,2024-11-29

[7]

硅刻蚀液和半导体结构的刻蚀方法 [P].

宁勇 ;

张丝柳 ;

郑晓芬 ;

夏余平 .

中国专利 :CN111690411A ,2020-09-22

[8]

硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂及其应用 [P].

邓雨微 ;

王思云 ;

马洁 ;

张益荣 .

中国专利 :CN110257072A ,2019-09-20

[9]

一种电池片刻蚀添加剂的添加设备 [P].

吴家阳 ;

邓泽晟 ;

徐柯艺 ;

陈行杰 ;

陈魏 .

中国专利 :CN222322100U ,2025-01-07

[10]

一种太阳能刻蚀抛光液及其制备方法 [P].

徐建 ;

俞超 ;

李慧 ;

陈克 ;

彭彪 ;

马世领 ;

樊华 ;

吴俊清 ;

王丹萍 .

中国专利 :CN107118699A ,2017-09-01

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