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一种防静电MOSFET器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202520069831.8
申请日：
2025-01-13
公开(公告)号：
CN223743660U
公开(公告)日：
2025-12-30
发明(设计)人：
钱鑫
申请人：
苏州华镁忆芯半导体有限公司
申请人地址：
215600 江苏省苏州市张家港保税区滨江大厦A座202-30室
IPC主分类号：
H01L23/49
IPC分类号：
H01L23/60
代理机构：
安徽华普专利代理事务所(普通合伙) 34151
代理人：
蔡庆新
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-30 | 授权 | 授权 |