COMPARISON OF ANNEALING AND ION-IMPLANTATION EFFECTS DURING SOLID-STATE DISILICIDE FORMATION

被引:20
作者
DHEURLE, FM
TSAI, MY
PETERSSON, CS
STRITZKER, B
机构
[1] IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, United States
关键词
D O I
10.1063/1.331052
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
28
引用
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页码:3067 / 3069
页数:3
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