CATIONIC MIGRATION IN SILICON DIOXIDE FILMS ON SILICON

被引：8

作者：

COLLINS, FC

SCHRAGER, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2426668

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：624 / &

共 6 条

[1] ELECTROCHEMICAL BEHAVIOR OF GROWN OXIDE FILMS ON SILICON [J].

COLLINS, FC .

HOFSTEIN, SR .

[3]

PIERCE BP, 1929, SHORT TABLE INTEGRAL, P54

[4] ION TRANSPORT PHENOMENA IN INSULATING FILMS [J].

SNOW, EH ;

GROVE, AS ;

DEAL, BE ;

SAH, CT .

[5]

TARUI Y, 1966, SPR EL SOC M CLEV

[6]

YON E, 1966, IEEE T ELECTRON DEV, VED13, P276