ENGINEERING MODEL OF INVERSION CHANNEL MOBILITY FOR 60-300-K TEMPERATURE-RANGE

被引：9

作者：

GILDENBLAT, GS

HUANG, CL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19890430

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：634 / 636

页数：3

共 8 条

[1] ELECTRONIC-PROPERTIES OF TWO-DIMENSIONAL SYSTEMS [J].

ANDO, T ;

FOWLER, AB ;

STERN, F .

ARORA, ND ;

GILDENBLAT, GS .

[3]

GILDENBLAT GS, 1988, ADV MOS DEVICES PHYS

[4]

ONG TC, 1987, IEEE T ELECTRON DEV, V34, P2129

PAO, HC ;

SAH, CT .

[6]

SABNIS AG, 1979, IEDM TECH DIG, P18

SODINI, CG ;

EKSTEDT, TW ;

MOLL, JL .

[8]

Takagi S., 1988, International Electron Devices Meeting. Technical Digest (IEEE Cat. No.88CH2528-8), P398, DOI 10.1109/IEDM.1988.32840