TRAP STUDIES ON GAAS-SI3N4 INTERFACES

被引：3

作者：

SCHUERMEYER, FL ^{[1
]}

SINGH, HP ^{[1
]}

机构：

[1] UNIVERSAL ENERGY SYST,DAYTON,OH 45432

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1981年 / 19卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.571031

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：421 / 426

页数：6

共 8 条

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