SELENIUM IMPLANTATION INTO SILICON STUDIED BY DLTS TECHNIQUE

被引：27

作者：

RICHOU, F ^{[1
]}

PELOUS, G ^{[1
]}

LECROSNIER, D ^{[1
]}

机构：

[1] CTR NATL ETUD TELECOMMUN,F-22301 LANNION,FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.89763

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：525 / 527

页数：3

共 8 条

[1]

FAHRNER W, 1974, P SCIENTIFIC PRINCIP

[2]

GIBBONS JF, 1975, PROJECTED RANGE STAT

LANG, DV .

LANG, DV .

LEFEVRE, H ;

SCHULZ, M .

APPLIED PHYSICS, 1977, 12 (01) :45-53

[6] OUTDIFFUSION OF DEEP ELECTRON TRAPS IN EPITAXIAL GAAS [J].

MIRCEA, A ;

MITONNEAU, A ;

HOLLAN, L ;

BRIERE, A .

APPLIED PHYSICS, 1976, 11 (02) :153-158

SAH, CT ;

NEUGROSCHEL, A .

WANG, KL .