CARRIER COMPENSATION IN O+ IMPLANTED N-TYPE GAAS

被引：5

作者：

ASANO, T ^{[1
]}

HEMMENT, PLF ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SURREY,DEPT ELECTR & ELECT ENGN,GUILDFORD GU2 5XH,SURREY,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(80)90191-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1089 / 1090

页数：2

共 5 条

COPELAND, JA .

[2]

EIRUGDAVIES D, 1973, APPL PHYS LETT, V23, P615

[3] SEMI-INSULATING LAYERS OF GAAS BY OXYGEN IMPLANTATION [J].

FAVENNEC, PN .

[4] NEW THIN-FILM ENCAPSULANT FOR ION-IMPLANTED GAAS [J].

SEALY, BJ ;

SURRIDGE, RK .

[5]

SEALY BJ, 1976, I PHYS C SER, P69