BIAS DEPENDENCE OF THE MODFET INTRINSIC MODEL ELEMENTS VALUES AT MICROWAVE-FREQUENCIES

被引:68
作者
HUGHES, B [1 ]
TASKER, PJ [1 ]
机构
[1] CORNELL UNIV,DEPT ELECT ENGN,PROFESSOR EASTMANS GRP,ITHACA,NY 14853
关键词
D O I
10.1109/16.40909
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:2267 / 2273
页数:7
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