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HIGH-POWER OPERATION IN INGAAS SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE QUANTUM WELL LASER-DIODES
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作者
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KITAMURA, M
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KITAMURA, M
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MITO, I
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1988年
/ 53卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.100120
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
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LOW-THRESHOLD SINGLE QUANTUM WELL (60 A) GAAIAS LASERS GROWN BY MO-CVD WITH MG AS P-TYPE DOPANT
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