EFFECT OF TEMPERATURE AND VOLTAGE SWEEP RATE ON C-V CHARACTERISTICS OF MIS CAPACITORS

被引：18

作者：

WEI, LS

SIMMONS, JG

机构：

[1] UNIV TORONTO,ELECT ENGN DEPT,TORONTO,ONTARIO,CANADA

[2] UNIV TORONTO,MAT RES CTR,TORONTO,ONTARIO,CANADA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(74)90141-5

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1021 / 1028

页数：8

共 8 条

[1] SI-SIO2 FAST INTERFACE STATE MEASUREMENTS [J].

BROWN, DM ;

GRAY, PV .

DEAL, BE ;

MACKENNA, EL ;

CASTRO, PL .

[3] BEHAVIOR OF MOS INVERSION LAYERS AT LOW TEMPERATURE [J].

GOETZBER.A .

[4]

GOETZBERGER A, 1968, IEEE T ELECTRON DEVI, VED15, P1009

HIELSCHER, FH ;

PREIER, HM .

[6]

SIMMONS JG, 1973, SOLID STATE ELECTRON, V16, P43, DOI 10.1016/0038-1101(73)90124-X

SIMMONS, JG ;

WEI, LS .

[8]

WEI LS, 1974, SOLID STATE ELECTRON, V16, P591