ION-BEAM-INDUCED EPITAXIAL CRYSTALLIZATION KINETICS IN ION-IMPLANTED GAAS

被引：24

作者：

JOHNSON, ST ^{[1
]}

WILLIAMS, JS ^{[1
]}

NYGREN, E ^{[1
]}

ELLIMAN, RG ^{[1
]}

机构：

[1] CSIRO, CLAYTON, VIC 3168, AUSTRALIA

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1988年 / 64卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1063/1.342029

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：6567 / 6569

页数：3

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共 12 条

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