MBE-RELATED SURFACE SEGREGATION OF DOPANT ATOMS IN SILICON

被引：17

作者：

NAKAGAWA, K ^{[1
]}

MIYAO, M ^{[1
]}

SHIRAKI, Y ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TOKYO, ADV SCI & TECHNOL RES CTR, TOKYO 153, JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1988年 / 27卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.27.L2013

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L2013 / L2014

页数：2

共 5 条

[1] ARBITRARY DOPING PROFILES PRODUCED BY SB-DOPED SI MBE [J].

BEAN, JC .

IYER, SS ;

METZGER, RA ;

ALLEN, FG .

SAKAMOTO, T ;

KAWANAMI, H .

TATSUMI, T ;

HIRAYAMA, H ;

AIZAKI, N .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1988, 27 (06) :L954-L956

[5] CONTROLLED ATOMIC LAYER DOPING AND ALD-MOSFET FABRICATION IN SI [J].

VANGORKUM, AA ;

NAKAGAWA, K ;

SHIRAKI, Y .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 1987, 26 (12) :L1933-L1936