GROWTH OF 40 MM DIAMETER SILICON CRYSTALS BY A PEDESTAL TECHNIQUE USING ELECTRON-BEAM HEATING

被引：12

作者：

CISZEK, TF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(72)90298-9

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：281 / +

页数：1

共 5 条

[1]

Ciszek T. F., 1969, Semiconductor silicon, P156

DARAGONA, FS .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1971, 7 (02) :577-&

[3] SILICON CRYSTALS FREE OF DISLOCATIONS [J].

DASH, WC .

[4]

GASSON DB, 1960, 3020E I EL ENG PAP, P854

[5] VACANCY CLUSTERS IN DISLOCATION-FREE SILICON [J].

KOCK, AJRD .