HIGH-POWER GAAS FET PREPARED BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：13

作者：

WATAZE, M

MITSUI, Y

SHIMANOE, T

NAKATANI, M

MITSUI, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19780514

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：759 / 761

页数：3

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