GAAS TUNNETT DIODES

被引：25

作者：

NISHIZAWA, JI ^{[1
]}

OKUNO, Y ^{[1
]}

MOTOYA, K ^{[1
]}

机构：

[1] SEMICONDUCTOR RES INST,KAWAUCHI,SENDAI 980,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1978.1129540

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1029 / 1035

页数：7

共 25 条

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