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CARRIER MULTIPLICATION IN PINCHOFF REGION OF MOS TRANSISTORS
被引:22
作者
:
MARTINOT, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MARTINOT, H
ROSSEL, P
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
ROSSEL, P
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1971年
/ 7卷
/ 5-6期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19710078
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:118 / &
相关论文
共 12 条
[11]
SUBSTRATE CURRENT IN SILICON P-CHANNEL MOS TRANSISTORS
RYAN, RD
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
Instrumentation and Control Div., Australian Atomic Energy Commission, Sutherland, N.S.W.
RYAN, RD
[J].
PROCEEDINGS OF THE IEEE,
1969,
57
(08)
: 1424
-
&
[12]
SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P62
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共 12 条
[11]
SUBSTRATE CURRENT IN SILICON P-CHANNEL MOS TRANSISTORS
RYAN, RD
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
Instrumentation and Control Div., Australian Atomic Energy Commission, Sutherland, N.S.W.
RYAN, RD
[J].
PROCEEDINGS OF THE IEEE,
1969,
57
(08)
: 1424
-
&
[12]
SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P62
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