DIRECT DEVICE FABRICATION BY SELECTED AREA E-BEAM ANNEALING

被引：10

作者：

MCMAHON, RA

AHMED, H

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1979年 / 16卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.570308

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1840 / 1842

页数：3

共 5 条

[1]

GREENWALD AC, 1979, J APPL PHYS, V50

[2] ELECTRON-BEAM ANNEALING OF ION-IMPLANTED SILICON [J].

MCMAHON, RA ;

AHMED, H .

MCMAHON, RA ;

AHMED, H ;

SPEIGHT, JD ;

DOBSON, RM .

[4]

MCMAHON RE, UNPUBLISHED

[5] SCANNING-ELECTRON-BEAM ANNEALING OF ARSENIC-IMPLANTED SILICON [J].

REGOLINI, JL ;

GIBBONS, JF ;

SIGMON, TW ;

PEASE, RFW ;

MAGEE, TJ ;

PENG, J .