A TECHNIQUE FOR RAPIDLY ALTERNATING BORON AND ARSENIC DOPING IN ION-IMPLANTED SILICON MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：14

作者：

SWARTZ, RG ^{[1
]}

MCFEE, JH ^{[1
]}

VOSHCHENKOV, AM ^{[1
]}

FINEGAN, SN ^{[1
]}

OTA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC,READING,PA 19604

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1982年 / 40卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1063/1.93059

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：239 / 241

页数：3

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