MOS TRANSISTORS WITH ANODICALLY FORMED METAL OXIDES AS GATE INSULATORS

被引：5

作者：

WITT, W

HUBER, F

DELIVORI.P

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1967年 / 55卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1967.5633

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：687 / +

页数：1

共 5 条

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