CARRIER MOBILITY IN DEFORMED GERMANIUM

被引:21
作者
SCHROTER, W
机构
[1] Institut Für Metallphysik, Universität Göttingen
来源
PHYSICA STATUS SOLIDI | 1969年 / 31卷 / 01期
关键词
D O I
10.1002/pssb.19690310121
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
Die Hallbeweglichkeit schwach dotierter Germaniumeinkristalle wurde vor und nach plastischer Verformung zwischen 50 und 250 °K gemessen. Die streuenden Verformungszentren wurden als Versetzungen identifiziert, die durch ihre Ladung und ihr Verschiebungsfeld die Beweglichkeit freier Löcher beeinflussen. Zur Bestimmung der Ladung der Versetzung wurde das Modell des Versetzungsbandes herangezogen. Die Ergebnisse der Beweglichkeitsmessung wurden unter der Annahme analysiert, daß freie Löcher bzw. ionisierte Fremdatome die Versetzungsladung abschirmen. Copyright © 1969 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
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页码:177 / &
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BLIEK, L ;
SCHROTER, W .
PHYSICA STATUS SOLIDI, 1966, 14 (01) :K55-&
[3]  
BONCH-BRUEVICH VL, 1961, SOV PHYS-SOL STATE, V3, P26
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ADVANCES IN PHYSICS, 1963, 12 (46) :135-184
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DEXTER, DL ;
SEITZ, F .
PHYSICAL REVIEW, 1952, 86 (06) :964-965
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PHYSICA STATUS SOLIDI, 1966, 17 (02) :691-&
[8]  
GUYALEV YV, 1961, SOVIET PHYS SOLID ST, V3, P796
[9]  
HAIST W, 1967, THESIS STUTTGART
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KEIPER, R ;
STREITWO.HW .
PHYSICA STATUS SOLIDI, 1965, 12 (01) :K21-&