INJECTION DEPENDENCE OF TRANSIENT ANNEALING IN NEUTRON-IRRADIATED SILICON DEVICES

被引：38

作者：

GREGORY, BL

SANDER, HH

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1967.4324783

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：116 / +

页数：1

共 7 条

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