HIGH-TEMPERATURE ANNEALING OF SIO2-GAAS SYSTEM

被引：15

作者：

OHDOMARI, I ^{[1
]}

MIZUTANI, S ^{[1
]}

KUME, H ^{[1
]}

MORI, M ^{[1
]}

KIMURA, I ^{[1
]}

YONEDA, K ^{[1
]}

机构：

[1] KYOTO UNIV,INST RES REACTOR,OSAKA,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.89996

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：218 / 220

页数：3

共 5 条

GYULAI, J ;

MAYER, JW ;

MITCHELL, IV ;

RODRIGUEZ, V .

[2] STRUCTURAL EVALUATION OF SILICON OXIDE FILMS [J].

PLISKIN, WA ;

LEHMAN, HS .

[3]

Saito K., COMMUNICATION

[4]

SHANNON WJ, 1970, RCA REV, V31, P431

THURMOND, CD ;

FROSCH, CJ .