THE EPITAXIAL GROWTH OF GAP BY A GA2O VAPOR TRANSPORT MECHANISM

被引：55

作者：

FROSCH, CJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2426079

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：180 / 184

页数：5

共 20 条

[1] GALLIUM ARSENIDE AS A SEMI-INSULATOR [J].

ALLEN, JW .

ANTELL, GR ;

EFFER, D .

[3]

COTTON FA, 1962, PROGR INORGANIC CHEM, V3, P113

[4]

FLICKER H, 1961, B AM PHYS SOC, V5, P407

[5]

FLICKER H, 1960, NOV C AM PHYS SOC CH

FROSCH, CJ ;

DERICK, L .

GERSHENZON, M ;

MIKULYAK, RM .

[8] VAPOR PHASE PREPARATION OF GALLIUM PHOSPHIDE CRYSTALS [J].

GERSHENZON, M ;

MIKULYAK, RM .

[9]

GERSHENZON M, 1963, APR EL SOC PITTSB M

[10]

GERSHENZON M, COMMUNICATION