DOPANT REDISTRIBUTION IN SILICIDE SILICON AND SILICIDE POLYCRYSTALLINE SILICON BILAYERED STRUCTURES

被引:63
作者
MURARKA, SP [1 ]
WILLIAMS, DS [1 ]
机构
[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1987年 / 5卷 / 06期
关键词
D O I
10.1116/1.583648
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:1674 / 1688
页数:15
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共 71 条
[71]   REDISTRIBUTION OF IMPLANTED DOPANTS AFTER METAL-SILICIDE FORMATION [J].
WITTMER, M ;
SEIDEL, TE .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1978, 49 (12) :5827-5834