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DOPANT REDISTRIBUTION IN SILICIDE SILICON AND SILICIDE POLYCRYSTALLINE SILICON BILAYERED STRUCTURES
被引:63
作者:
MURARKA, SP
[1
]
WILLIAMS, DS
[1
]
机构:
[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
来源:
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
|
1987年
/
5卷
/
06期
关键词:
D O I:
10.1116/1.583648
中图分类号:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号:
0808 ;
0809 ;
摘要:
引用
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页码:1674 / 1688
页数:15
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