AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY ANALYSIS OF THERMAL OXIDE LAYERS OF SILICON-CARBIDE

被引：14

作者：

SUZUKI, A

MATSUNAMI, H

TANAKA, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2131324

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1896 / 1897

页数：2

共 4 条

[1]

Campbell R. B., 1971, SEMICONDUCT SEMIMET, V7, P625

JOHANNESSEN, JS ;

SPICER, WE ;

STRAUSSER, YE .

[3] THERMAL OXIDATION AND ELECTROLYTIC ETCHING OF SILICON-CARBIDE [J].

MUNCH, WV ;

PFAFFENEDER, I .

[4]

MUNCH WV, 1978, SOLID STATE ELECTRON, V21, P479, DOI 10.1016/0038-1101(78)90283-6