EQUILIBRIUM DOPANT INCORPORATION IN CVD SILICON EPITAXY

被引：10

作者：

KUHNE, H

MORGENSTERN, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1002/crat.2170240103

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：13 / 19

页数：7

共 6 条

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