SHALLOW-LEVEL ELECTRON TRAPS IN SIO2

被引：3

作者：

NING, TH ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1978年 / 25卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1978.19314

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：1348 / 1348

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共 2 条

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