A SIMPLE METHOD FOR PREPARING SODIUM-FREE THERMALLY GROWN SILICON DIOXIDE ON SILICON

被引：4

作者：

COCCA, F

COHEN, R

SIMONNE, J

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1967年 / 55卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1967.6124

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：2193 / +

页数：1

共 6 条

[1] BARRIER ENERGIES IN METAL-SILICON DIOXIDE-SILICON STRUCTURES [J].

DEAL, BE ;

SNOW, EH ;

MEAD, CA .

DEAL, BE ;

SKLAR, M ;

GROVE, AS ;

SNOW, EH .

[3]

GOETZBER.A, 1966, AT&T TECH J, V45, P1097

[4] INSTABILITIES OF MOS STRUCTURE [J].

MIURA, Y ;

MATUKURA, Y .

[5]

SCHLEGEL ES, 1966, NAS811926 NASA CONTR, P33

[6]

ZAININGER KH, 1966, RCA REV, V27, P341