BARRIER HEIGHT REDUCTION OF THE SCHOTTKY-BARRIER DIODE USING A THIN HIGHLY DOPED SURFACE-LAYER

被引：20

作者：

WU, CY ^{[1
]}

机构：

[1] NATL CHIAO TUNG UNIV,INST ELECTR,HSINCHU,TAIWAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.328365

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：4919 / 4922

页数：4

共 5 条

CARD, HC ;

RHODERICK, EH .

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