ELECTRON EMISSION FROM SILICON P-N JUNCTIONS

被引：23

作者：

TAUC, J

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1038/181038a0

中图分类号：

O [数理科学和化学]; P [天文学、地球科学]; Q [生物科学]; N [自然科学总论];

学科分类号：

07 ; 0710 ; 09 ;

摘要：

引用

页码：38 / 38

页数：1

共 9 条

[1]

BOHUN A, 1955, CZECH J PHYS, V5, P224

[2]

BOHUN A, 1956, CZECH J PHYS, V6, P496

[3] PHOTON EMISSION FROM AVALANCHE BREAKDOWN IN SILICON [J].

CHYNOWETH, AG ;

MCKAY, KG .

PHYSICAL REVIEW, 1956, 102 (02) :369-376

[4] ELECTRICAL RESISTIVITY AND THERMIONIC EMISSION OF SILICON [J].

ESAKI, L .

[5]

HAYNES JR, 1952, PHYS REV, V86, P647

HAYNES, JR ;

WESTPHAL, WC .

PHYSICAL REVIEW, 1956, 101 (06) :1676-1678

KRAMER, J .

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1950, 128 (04) :538-545

[8]

LOEB LB, 1939, FUNDAMENTAL PROCESSE, P413

[9] VISIBLE LIGHT FROM A SILICON P-N JUNCTION [J].

NEWMAN, R .

PHYSICAL REVIEW, 1955, 100 (02) :700-703