GERMANIUM-DOPED GAAS FOR P-TYPE OHMIC CONTACTS

被引：15

作者：

KETCHOW, DR ^{[1
]}

机构：

[1] BEL TEL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2402023

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1237 / 1239

页数：3

共 5 条

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